Étude et Optimisation d’un Transistor AlGaAs/GaAs HEMT.
Étude et Optimisation d’un Transistor AlGaAs/GaAs HEMT.
Détermination de l’épaisseur et de l’indice de réfraction des couches minces CFTS préparées par évaporation thermique sous vide.
Les cellules photovoltaïques sont essentielles dans la transition vers une économie mondiale basée sur les énergies renouvelables, offrant une source d'énergie propre et compétitive. Les chalcogénures de cuivre, fer et étain (CFTS) émergent comme des matériaux prometteurs pour les cellules solaires, offrant une efficacité énergétique comparable aux technologies établies. Malgré des défis persistants, la recherche continue sur les CFTS ouvre la voie à une énergie solaire plus efficace et respectueuse de l'environnement. Notre étude se concentre sur le développement et la compréhension des propriétés des matériaux chalcogénures, notamment le CFTS, sous forme de couches minces. Nous élaborons ces couches minces par évaporation thermique sous vide et étudions leurs propriétés optiques, en particulier l'indice de réfraction et l'épaisseur. De plus, analyser l'effet de l'épaisseur sur la transmittance des couches minces de CFTS.
Élaboration et caractérisation optiques des couches minces CFTS
Dans le présent travail, l’un des aspects important d’une caractérisation optique de couche mince est l’étude de ses propriétés optiques (Transmittance, Reflectance et Absorbance). Pour cela, ces propriétés optiques ont été mesurées à l’aide d’un spectrophotomètre UV-Vis, travaillant dans la gamme de 300 à 1800 nm, pour des matériaux Chalcogénures CFTS en couche minces préparées par évaporation thermique sous vide. Les spectres UV-Visible de transmittance optique des couches montrent que les films CFTS sont de bonnes qualités avec une transmittance de 50% dans le Visible. Á partir des spectres de reflectances, nous avons déterminer plusieurs paramètres optiques tels que l’indice de réfraction, nc, l'épaisseur, d, le coefficient d’absorption, α, et le gap, Eg, des couches minces CFTS, en utilisant la méthode de franges d’interférences (la méthode de Manifacier et Swanepoel). Par conséquent, les valeurs de l’indice de réfraction nc des couches minces CFTS sont approximées à ncmoy = 1,83 sur tout le domaine de longueur d’onde (300 – 1800 nm). Il est intéressant de noter que ces valeurs sont en bon accord avec les valeurs trouvées dans la littérature. De plus, les valeurs de l’épaisseur de ces couches CFTS sont en bon accord avec la méthode appliquée, elles se varient de 843.87 nm à 1191.82 nm. Également, on a eu des échantillons CFTS avec coefficients d’absorption idéale dans l’intervalle visible, ce qui est important pour la conversion photovoltaïque. Finalement, la valeur du gap optique Eg a été déterminée par extrapolation, on obtient Eg de l’ordre de 2.8 eV ce qui explique que nos échantillons CFTS sont amorphes, et pour passer à la structure cristalline (diminuer le gap optique Eg ≈ 1,5 eV) il faut effectuer une sulfuration des couches.