Thème :
Élaboration des Nanoparticules pour des applications dans l'optoélectronique
Présentation :
Notre Travail consiste à implanter des éléments des groupes III-V et II-VI tels que : ZnTe, ZnS (Mn) dans différentes matrices tels que la silice (SiO2) et le silicium avec différentes énergies et doses en profils plats dans un but d’introduire un maximum de nanoparticules dans la matrice. On s’intéresse à la formation des nanoparticules d'une taille et à des profondeurs bien contrôlées. L’objectif finale de cette étude et d’obtenir des nanoparticules avec des propriétés optique et électrique intéressante afin de former des composants optoélectroniques. Donc une étude des propriétés de photoluminescence et électroluminescence ainsi que leurs propriétés de stockage de charge est indispensable.
Afin de mieux comprendre le comportement de ces matériaux, on a réalisé des calculs par le code WIEN2K, qui nous donne des informations importantes sur la structure de bande et les propriétés électrique ainsi des informations sur la structure et la phase la plus stable et les paramètres de réseau.
Thème :
Élaboration des Nanoparticules pour des applications dans l'optoélectronique
Présentation :
Notre Travail consiste à implanter des éléments des groupes III-V et II-VI tels que : ZnTe, ZnS (Mn) dans différentes matrices tels que la silice (SiO2) et le silicium avec différentes énergies et doses en profils plats dans un but d’introduire un maximum de nanoparticules dans la matrice. On s’intéresse à la formation des nanoparticules d'une taille et à des profondeurs bien contrôlées. L’objectif finale de cette étude et d’obtenir des nanoparticules avec des propriétés optique et électrique intéressante afin de former des composants optoélectroniques. Donc une étude des propriétés de photoluminescence et électroluminescence ainsi que leurs propriétés de stockage de charge est indispensable.
Afin de mieux comprendre le comportement de ces matériaux, on a réalisé des calculs par le code WIEN2K, qui nous donne des informations importantes sur la structure de bande et les propriétés électrique ainsi des informations sur la structure et la phase la plus stable et les paramètres de réseau.