Thème :
REALISATION ET ETUDE DE CAPTEURS DE GAZ EN COUCHES MINCES
Présentation :
Accord Programme CMEP TASSILI 08MDU733 2007 ENTRE ENSICAEN/SIFCOM UMR CNRS 6176, 6-Boulevard du Maréchal Juin 14050 Caen cedex, ET le laboratoire (LRPCSI)B.P. B.P. 26, El Hadaiek 21000 Skikda (Algérie)
L'équipe de recherche algérienne développe depuis plus de 10 ans des technologies photovoltaïques innovantes, notamment dans les matériaux nanostructurés. Détection et dégradation photocatalytique des polluants (air/eau) : un semi-conducteur convertit la lumière en énergie redox, minéralisant les polluants via radicaux OH.
Objectif : Développer des capteurs de gaz polluants pour réseaux de surveillance.
Thème :
Elaboration et caractérisation des hétéro-jonctions du type CdS-[Cu-(Ga-In)-(S-Se, Te)2] pour applications photovoltaïques
code B00L02UN23012014126
Présentation :
Les hétéro-jonctions CdS-CIGS améliorent l'efficacité des cellules photovoltaïques en combinant différents matériaux semi-conducteurs.
Élaboration
Matériaux : CdS (couche tampon) et CIGS (absorbeur) .
Structure : Substrat de verre, couches de Mo, CIGS, CdS, et ZnO .
Méthodes : Co-évaporation sous vide, électro-dépôt pour CIGS ; bain chimique ou évaporation pour CdS .
Caractérisation
Propriétés : Largeur de bande interdite optimisée (1,02-1,65 eV pour CIGS, 2,4 eV pour CdS) .
Performances : Rendements dépassant 20% 2.
Applications et Perspectives
Avantages : Stabilité et efficacité accrues .
Défis : Remplacement du CdS par des matériaux écologiques et optimisation des procédés de fabrication
Thème :
Réalisation et étude de capteurs de gaz en couches minces.
(CMEP N° 92 MDU 201).(2008-2011)
avec le laboratoire SIFCOM UMR CNRS 6176 ENSICAEN/. Caen (France
Présentation :
Les capteurs de gaz en couches minces sont essentiels pour la détection et la surveillance de divers gaz dans des applications industrielles, environnementales et de sécurité. Cette étude se concentre sur la réalisation et l'étude de ces capteurs.
Les capteurs ont été fabriqués en utilisant des techniques de dépôt en couches minces, telles que la pulvérisation cathodique et le dépôt chimique en phase vapeur. Les matériaux utilisés incluent des oxydes métalliques.
Thème :
Caractérisation cristallochimique et propriétés photo électroniques de
nouveaux matériaux chalcopyrites à base de Cuivre
DRU : / /2007
Présentation :
Les nouveaux matériaux chalcopyrites à base de cuivre offrent des perspectives prometteuses pour les applications photovoltaïques et électroniques. Cette étude vise à caractériser leurs propriétés cristallochimiques et photoélectroniques.les nouveaux matériaux ont été synthétisés en couches minces. La caractérisation cristallochimique a été réalisée par diffraction des rayons X (XRD) et microscopie électronique en transmission (TEM). Les propriétés photoélectroniques ont été étudiées par spectroscopie photoélectronique X (XPS) et photoluminescence.
Thème :
Caractérisation cristallochimique et propriétés photo électroniques de nouveaux matériaux chalcopyrite à base de cuivre.D01120070090
Présentation :
Introduction
Les matériaux chalcopyrites à base de cuivre sont prometteurs pour les applications photovoltaïques et électroniques. Cette étude caractérise leurs propriétés cristallochimiques et photoélectroniques.
Matériaux et Méthodes
Les matériaux ont été synthétisés en couches minces. La caractérisation cristallochimique a été réalisée par XRD et TEM, tandis que les propriétés photoélectroniques ont été étudiées par XPS et photoluminescence.
Thème :
Etude des défauts dans les chalcopyrites en couches minces par les techniques optoélectroniques(D2301/01/2005
Présentation :
L'idée centrale est l'analyse et la compréhension des défauts présents dans les matériaux chalcopyrites lorsqu'ils sont utilisés sous forme de couches minces. Les chalcopyrites sont une classe de matériaux semiconducteurs souvent utilisés dans les applications photovoltaïques.
Thème :
L'étude et le développement de couches minces semiconductrices. Cela inclut la compréhension des propriétés physiques et électriques de ces matériaux, ainsi que les techniques de fabrication et de dépôt.
DRU : D2301/04 / 2002
Présentation :
Propriétés physiques des couches minces AIBIIICVI2 CuInxGa1-xSe2 déposées par diverses méthodes.
Thème :
Membre du projet de recherche (DRU : / / /99)
Présentation :
Réalisation et Caractérisation de Cellules Solaires à base de Semiconducteurs Quaternaires AI BIII1-x BIII x CVI / CdS .
Thème :
Responsable du Projet de recherche (DRU : 2301/04/98)
Présentation :
Couches minces de chalcopyrite appliquées à la conversion photovoltaïque de l’énergie solaire.